STD11N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為800V，連續漏極電流（ID）達10.2A，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持寬范圍驅動條件并具備良好的柵極可靠性。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關過程中表現出較低的開關損耗和優異的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及對體積與能效有較高要求的電力電子設備中。
