GC11N65D5_DFN5X6-8L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:13A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為13A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻典型值為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和熱性能要求較高的電力轉換場景。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時N溝道結構便于實現高效開關控制，在高頻運行條件下仍能保持穩定性能。
