STF11N65K3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為820mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于需要高耐壓與中等電流能力的電力電子場合。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和開關性能，在高頻、高效率的電源轉換系統中可實現更低的導通與開關損耗。由于其寬電壓驅動能力，便于與多種驅動電路兼容，適合對能效和熱管理有較高要求的應用場景。
