STD8N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。其柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，適用于多種驅動電路配置，并具備良好的抗誤觸發能力。得益于碳化硅材料的物理特性，該器件在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，適合用于高效率、高功率密度的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能轉換設備等場景。
