STF9N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:5.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）為5.1A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為820mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅(qū)動電平。器件基于碳化硅材料，具備較高的開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如開關(guān)電源、光伏逆變器及各類高效能電能管理模塊，在注重體積緊湊與能效優(yōu)化的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)良好。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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