IV2Q06040D7Z_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:36mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至36mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源接入及高功率密度電能處理等場景。其低RDS(on)有助于減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體能效，寬柵壓范圍則增強(qiáng)了與不同驅(qū)動(dòng)電路的兼容性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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