IMT65R50M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓以及58mΩ的導通電阻，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，同時具有良好的熱導性能和穩定性，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及對功率密度要求較高的電力電子應用場合。
