IPW60R031CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的高熱導率與高擊穿電場特性，在高頻、高效率電力轉換場景中表現出優異的動態性能與熱穩定性，適用于對開關速度和能效要求較高的電源系統。
