IPW65R045C7300XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達70A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)典型值為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景，可在高頻開關條件下保持穩定性能，適合用于各類電源管理、可再生能源系統及高效能電能變換裝置中。
