C3D200065FB1_module-FB_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-FB 類別：碳化硅二極管 最小包裝：16/托盤 參數(shù)1：IF:200A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.5V 參數(shù)4：IR:5uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管額定持續(xù)正向電流（IF）為200A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，可在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.5V，有效降低導(dǎo)通損耗；反向漏電流（IR）僅為5μA，體現(xiàn)優(yōu)良的關(guān)斷阻斷能力。器件具備1200A的非重復(fù)浪涌電流（IFSM）承受能力，適用于瞬態(tài)電流較大的工況。得益于碳化硅材料的特性，該器件具有快速恢復(fù)響應(yīng)和高熱穩(wěn)定性，廣泛用于高效直流電源、高壓整流模塊、儲能系統(tǒng)中的功率因數(shù)校正及高頻逆變裝置等對能效和可靠性要求較高的電力電子電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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