UF3C065080K4S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率電力轉換場景中展現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源系統。其低導通損耗與快速開關特性有助于簡化散熱設計并提升整體系統響應速度。
