NVT2023N065M3S-HXY_T2PAK_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：T2PAK 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：700/圓盤 參數(shù)1：ID:84A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為84A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻典型值為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及大功率充電設(shè)備等場(chǎng)合，在提升系統(tǒng)效率的同時(shí)有助于減小整體體積與散熱需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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