TW083N65C,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中展現出優異的效率與熱穩定性，適用于高功率密度電源、可再生能源轉換系統以及對體積和能效有嚴格要求的電力電子裝置。
