IV2Q06060T4Z_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，可在較高結溫下維持可靠運行，有助于簡化散熱結構并提升整體系統性能。
