STL42N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至75mΩ，可在柵源電壓-8V至@0V范圍內可靠運行。憑借碳化硅材料的高熱導率與寬禁帶特性，器件在高頻開關條件下仍保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場合。其電氣性能有助于簡化散熱設計并提升系統整體穩定性。
