G3F45MT06K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
