AAR027V065H2-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為99A，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與高開關(guān)速度特性，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設(shè)備等，在緊湊型設(shè)計和高溫運行環(huán)境中表現(xiàn)出良好的電氣穩(wěn)定性與熱性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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