SIHG125N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為32A，漏源電壓耐壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性與熱穩定性，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力變換等應用中可有效降低導通與開關損耗，提升整體能效表現。其電氣參數適合在對體積、效率和可靠性有較高要求的電力電子設計中使用。
