NVMFS5C645NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.7毫歐。如此低的導通電阻顯著降低了導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。適用于高電流開關電源、高效DC-DC轉換器、電池管理系統以及大功率電子負載等場景，在需要高效率與高可靠性運行的電路中表現出色。
