TSM085NB03CV_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有55A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下減少功率損耗和溫升，適用于高效率電源管理、大電流開關電路以及對熱性能有較高要求的電子設備。器件結構支持快速開關操作，在緊湊型電路布局中可實現良好的電氣性能與穩定性。
