IRFB4410PBF-HXY_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的柵源電壓（VGS）額定值。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，同時(shí)支持高電流通過(guò)能力。器件適用于高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，在高頻開(kāi)關(guān)操作中可維持良好的性能與熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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