TSM080NB03CR_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為4.7毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對(duì)效率和熱性能要求較高的開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)及便攜式高功率設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制電路，能夠穩(wěn)定支持大電流持續(xù)運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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