TSM085N03PQ33_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及最高20V的柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效。適用于電源轉換、同步整流、電機驅動及高頻開關等電路，在空間受限或對熱管理有要求的電子系統中可提供穩定可靠的性能表現。
