IRFR430BTF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件在高電壓條件下仍能維持穩定工作，適用于對耐壓能力有明確要求的電子開關電路。其N溝道結構便于與常用驅動邏輯配合，在電源管理、電機控制及各類中低功率電子設備中可實現可靠的通斷控制。參數特性使其在兼顧效率與安全性的應用場景中具備實用價值。
