NTMFS4C08NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.7mΩ，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的電源轉換與配電系統。在需要頻繁開關或持續高負載運行的電子設備中，該器件可提供穩定的性能和良好的熱表現，適合用于高性能計算平臺、便攜式儲能裝置及各類緊湊型電源模塊。
