SI7460DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。器件在高電流工作條件下仍能維持較低的導通壓降，適用于電源管理、電機控制及高頻開關等應用場景。其低導通電阻有助于降低功耗與溫升，提升系統運行效率，同時支持快速開關特性，適合對體積與熱性能有較高要求的電子設備。
