STF11N65M5_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達7.1A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。其柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V，支持寬泛的驅(qū)動條件并具備良好的抗誤觸發(fā)能力。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出低損耗與高效率特性，適用于高功率密度電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及各類高效電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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