DMTH10H009SPSWQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備75A的漏極電流（ID）和100V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.3毫歐，在柵源電壓（VGS）達20V時可實現高效開關操作。其低導通損耗與高電流處理能力，使其適用于高效率電源管理、電機控制、不間斷電源系統及各類中高功率電子設備中的開關與功率轉換環節，有助于提升整體電路的能效表現與熱穩定性。
