ASA60R210E_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為160mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高效率應用場景中表現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關能力有助于簡化散熱設計并提升整體系統響應速度。
