PCF8896W-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換和大電流開關場合。其電氣特性支持在高頻工作條件下保持穩定性能，常用于負載開關、同步整流及各類緊湊型電源模塊中，滿足對熱管理和能效有較高要求的應用需求。
