NTMFS4120NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:90A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備90A的連續(xù)漏極電流，漏源擊穿電壓為30V，導通電阻僅為3.5毫歐，柵源電壓額定值達20V。低導通電阻有效降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高電流、高效率要求的電源管理、同步整流及電機控制等應用場合，在高頻開關(guān)條件下仍可維持良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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