STL86N3LLH6AG-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.3毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較好的熱性能。適用于高效電源轉換、電池供電系統以及需要頻繁開關操作的電子裝置中，能夠支持穩定可靠的功率控制與能量傳輸。
