NVMFS5C426NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為219A，漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為20V。憑借極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，該器件適用于高效率、大電流的開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)以及高頻功率轉(zhuǎn)換電路，在確保穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)有效降低導(dǎo)通損耗與發(fā)熱。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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