NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其參數(shù)組合在中等功率應用中提供了良好的導通效率與驅(qū)動兼容性，適用于對體積和熱性能有一定要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。器件可在高頻開關(guān)條件下保持較低的損耗，適合用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動及便攜式高功率設(shè)備中的功率管理模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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