RJK03M9DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。其較低的導通電阻有助于在高電流工作時減少功率損耗，提升整體能效。適用于開關電源、電池管理系統、電動工具驅動以及各類中等功率的直流-直流轉換電路。器件結構設計支持良好的熱穩定性和快速開關特性，適合對效率和空間有明確要求的電子系統。
