STL12N3LLH5-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。器件在高電流應用中表現出優異的導通性能與較低的功率損耗，適用于對效率和熱管理有較高要求的電源轉換、電機驅動及各類電子負載控制場景。其低導通電阻有助于減小系統整體能耗，提升運行穩定性。
