RM12N650LD_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續電流為15A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類對體積與能效有較高要求的電力電子應用場合。
