TSM85N10CZ C0G_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻有助于在中高電流應用中減少導通損耗，提升系統效率。器件適用于高頻開關電源、電機控制及各類需要高效功率切換的電子設備，能夠在穩定驅動條件下實現可靠的開關性能。
