FDD6670AS_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。其低RDS(ON)特性有助于減小導通損耗，提升整體效率，在高電流應用場景中表現出良好的熱穩定性和功率處理能力。適用于對能效和空間布局有較高要求的電源管理、電池供電系統及各類電子負載開關場合。
