BUK7510-100B,127_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至8.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最大可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件采用標準封裝形式，便于在緊湊型電路布局中集成，同時確保在高電流工作條件下保持穩定可靠的電氣特性。
