MSJUFR05N65-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:4.2A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為4.2A，最大漏源電壓達650V，導通電阻為1555mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，在高電壓應用中展現出良好的耐壓能力和熱穩定性。其相對較高的導通電阻適用于對開關速度和損耗要求適中的場合，適合用于中小功率的電源管理、適配器及高效率轉換模塊等場景，能夠在有限空間內實現可靠的功率控制。
