BSC050N03MSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在導通狀態下呈現低至4.3mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。器件結構優化了導通與開關性能，在高電流應用中可有效降低功耗與溫升。適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景，其低阻特性有助于提升系統整體能效與穩定性。
