NVTFS4C13NWFTWG_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有35A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。器件在高電流負(fù)載下表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通性能與能效，適用于對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的電源轉(zhuǎn)換及開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率，適合用于各類高效直流-直流轉(zhuǎn)換、電池供電設(shè)備及便攜式電子系統(tǒng)的功率控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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