TPD65R380C_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料優勢，在高頻工作狀態下表現出較低的導通損耗和優異的熱穩定性。適用于高效率電源、服務器供電系統、光伏逆變及儲能設備中的功率開關環節，其負壓關斷能力有助于提升開關可靠性與抗噪性能。
