RS1E281BNTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓額定值為20V。其極低的RDS(ON)顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下仍能維持高效能表現。適用于高功率密度的電源轉換、電池管理系統、電動工具及各類需要高效率開關操作的電子設備中，能夠有效提升系統整體性能與熱管理能力。
