RJK03B9DPA-00#J5A-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為±20V。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用中維持較低溫升。適用于電源轉換、電機驅動及高效率開關電路等場景，能夠支持快速開關操作并保持良好的熱穩定性。
