NVMFS5C670NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為5.3mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）最高可達(dá)20V。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適合用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開(kāi)關(guān)電路及電機(jī)控制等場(chǎng)合。其高電流承載能力與低阻特性相結(jié)合，有助于提升系統(tǒng)熱穩(wěn)定性和整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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