NTMFS4121NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4.3毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。器件適用于高電流、高效率要求的開關(guān)應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換模塊、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電路、便攜式設(shè)備供電系統(tǒng)以及各類需要緊湊布局與良好熱穩(wěn)定性的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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