DMTH3004LK3Q-13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。適用于高電流開關場合，如電源轉換、電池管理系統及各類高效能電子設備中的功率控制模塊。其大電流承載能力與低阻特性使其在頻繁開關或持續高負載條件下仍能保持穩定工作性能。
