MSJU11N65-TP_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工況下仍能保持優異的導電性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持可靠驅動與穩定開關操作。基于碳化硅材料的高熱導率與耐壓特性，該器件適用于高頻率、高效率的電力轉換系統，如高效電源適配器、儲能系統中的能量變換模塊、直流電源供應單元及新能源發電中的功率調節裝置，適合對功率密度和系統效率有嚴苛要求的應用場景。
